PAÜ .:. Eğitim Öğretim Bilgi Sistemi

Yazdır

DERS BİLGİLERİ

Ders Kod	Ders Ad	T+U Saat	Yarıyıl	AKTS
EEEN 215	ELEKTRONİK - II	3 + 2	5. Yarıyıl	5

DERS TANIMI

Ders Düzeyi	Lisans
Ders Türü	Zorunlu
Dersin Amacı	BJT/MOSFET’in küçük işaret çalışmasını izah etmek (küçük işaret parametreleri ve küçük işaret modelleri ; “hibrit p”i modeli, “T” modeli), tek seviyeli BJT/MOSFET yükselticileri (CE/CS, CB/CG, CC/CD) açıklamak, BJT/MOSFET yükselticilerinin dahili kapasitelerini ve yüksek frekans modellerinin anlatmak, diferansiyel ve çok katlı yükselticileri açıklamak, benzetim uygulamaları yapmak.
Ders İçeriği	Dersin İçeriği Küçük işaret çalışmasınının teorisi ve uygulamaları, küçük işaret model parametreleri, küçük işaret modelleri; “hibrit p”i modeli, “T” modeli, tek seviyeli BJT/MOSFET yükselticileri: CE/CS, CB/CG, CC/CD, yükselticilerin yüksek frekans davranışları, fark alan ve çok katlı yükselticiler.
Ders Ön Koşul	Dersin ön koşulu yok.
Ders Yan Koşul	Dersin yan koşulu yok.
Öğretim Sistemi	Yüz Yüze

DERS ÖĞRENME KAZANIMLARI

1	BJT/MOSFET yükseltici devrelerinin analizini yapabilir
2	BJT/MOSFET diferansiyel çift yapılarını bilir.
3	Yükseltici devrelerin benzetimlerini yapabilir

DERS ÖĞRENME KAZANIMININ PROGRAM YETERLİLİKLERİNE KATKISI

No	PY 01	PY 02	PY 03	PY 04	PY 05	PY 06	PY 07	PY 08	PY 09	PY 10	PY 11
ÖK 001	2	5	3	2	2	1	1	2		2	1
ÖK 002	2	5	3	2	2	1	1	2		3	1
ÖK 003	2	5	3	4	2	1	1	3		1	1
Ara Toplam	6	15	9	8	6	3	3	7		6	3
Katkı	2	5	3	3	2	1	1	2	0	2	1

AKTS / İŞ YÜKÜ TABLOSU

Etkinlik	Sayısı	Süresi (Saat)	Toplam İş Yükü (Saat)
Ders Süresi(14 hafta/teorik+uygulama)	14	5	70
Sınıf Dışı Ders Çalışma Süresi(Ön çalışma, pekiştirme)	14	3	42
Arasınavlar(hazırlık süresi dahil)	1	5	5
Yarıyıl Sonu Sınavı(hazırlık süresi dahil)	1	13	13
Toplam İş Yükü Dersin AKTS Kredisi			130 5

DERS ŞUBELERİ

Dönem seçiniz :

Yazdır

Ders Şube Detayları

Dersin Kodu	Dersin Ad	Saat (T+P)	Şube No	Öğretim Dili	Şube Dönemi
EEEN 215	ELEKTRONİK - II	3 + 2	3	Türkçe	2023-2024 Güz

Öğretim Elemanı	E-Posta	İç Hat	Ders Yeri	Devam Zorunluluğu
Prof. Dr. ABDULLAH TAHSİN TOLA	attola@pau.edu.tr		MUH A0301	Dersin Devam Yüzdesi : %

Amaç		BJT/MOSFET’in küçük işaret çalışmasını izah etmek (küçük işaret parametreleri ve küçük işaret modelleri ; “hibrit p”i modeli, “T” modeli), tek seviyeli BJT/MOSFET yükselticileri (CE/CS, CB/CG, CC/CD) açıklamak, BJT/MOSFET yükselticilerinin dahili kapasitelerini ve yüksek frekans modellerinin anlatmak, diferansiyel ve çok katlı yükselticileri açıklamak, benzetim uygulamaları yapmak.
İçerik		Dersin İçeriği Küçük işaret çalışmasınının teorisi ve uygulamaları, küçük işaret model parametreleri, küçük işaret modelleri; “hibrit p”i modeli, “T” modeli, tek seviyeli BJT/MOSFET yükselticileri: CE/CS, CB/CG, CC/CD, yükselticilerin yüksek frekans davranışları, fark alan ve çok katlı yükselticiler.

Haftalık Konu Başlıkları

Hafta	Konular
1	BJT’nin dc analizinin özeti
2	BJT’nin küçük işaret çalışması
3	Tek seviyeli BJT yükselticileri, benzetim örnekleri
4	BJT’nin yüksek frekans modeli
5	MOSFET’nin dc analizinin özeti
6	MOSFET’nin küçük işaret çalışması
7	Tek seviyeli MOSFET yükselticileri, benzetim örnekleri
8	MOSFET’nin yüksek frekans modeli
9	Ara Sınav
10	BJT’nin diferansiyel çiftleri
11	MOSFET’nin diferansiyel çiftleri
12	Diferansiyel yükselticiler
13	Çok seviyeli yükselticiler
14	Benzetim Örnekleri

Materyaller

Materyal belirtilmemiştir.

Kaynaklar

Kaynaklar	Kaynak Dili
1- Sedra and Smith, Microelectronics Circuits, 2004.	English
2- Sait Türköz, Elektronik Devreler.	Türkçe
3- Razavi, Fundamentals of microelectronics	English

Ders Değerlendirme Sistemi

Değerlendirme Yöntemi	Katkı Yüzdesi (%)	Değerlendirme Yöntemi Ad
Dönem Sonu Sınavı	60	Dönem Sonu Sınavı
Ara Sınav	40	Ara Sınav

T+U : Teorik + Pratik
PY: Program Yeterlilikleri
ÖK: Ders Öğrenme Kazanımları

Aday Öğrenci